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Affichage 21 articles: 2SK3850TP à 2W06M (Page 45 sur 485)

Transistor MOSFET canal-N 2SK3850TP
2SK3850TP
12.04€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 0.7A/2.8Ap. 15W. Résistance passante RDSon : 14 Ohms

 
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Transistor 2SK3850TP-FA
2SK3850TP-FA
13.78€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de drain maxi: 0.7A. Puissance: 15W. Rds: 14 Ohms. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

 
 
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Transistor 2SK3878
2SK3878
14.56€ TTC
22 En stock
22 En stock

Transistor MOSFET canal N+Z 900V 9A/27Ap. 150W 1R (5.3A). Constructeur: STMicroelectronics. Code constructeur: 2SK3878(F). Marquage boîtier: K3878. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO-3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 900V. Id(T:25): 9A. Puissance: 150 W. Id(T:100): 5.3A. Id(imp): 27 Ap. Idss (min)

 
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Transistor MOSFET canal-N 2SK3911
2SK3911
13.22€ TTC
64 En stock
64 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 600V 20A/80Ap 150W. Résistance passante RDSon : 0.22 Ohms

 
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Transistor 2SK3934
2SK3934
17.58€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor 2SK3934 N-MOS+Z 500V 15A/60Ap 50W 0.23R. Field Effect MOS Type(TT-MOS VI). Yfs: 8.2S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.23. Courant impulsion: 60 Ap. Puissance:

 
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Transistor 2SK3936
2SK3936
29.68€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK3936 N-MOS+Z 500V 23A/92Ap 150W 0.2R. Field Effect MOS Type(MACH-II-MOS VI). Yfs: 15.6S. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23 A. Rds (Ohms): 0.2. Courant impulsion: 92 Ap. Puissan

 
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Transistor 2SK4012(Q)
2SK4012(Q)
11.82€ TTC
55 En stock
55 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 500V 13A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 0.33 Ohms.

 
 
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Transistor 2SK4013(Q)
2SK4013(Q)
10.42€ TTC
17 En stock
17 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 6A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 45W. Résistance Rds: 1.35 Ohms.

 
 
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Transistor 2SK4017(Q)
2SK4017(Q)
3.53€ TTC
216 En stock
216 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 60V 5A. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5A. Puissance: 20W. Résistance Rds: 0.09 Ohms.

 
 
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Transistor 2SK4075
2SK4075
8.06€ TTC
51 En stock
51 En stock

Transistor 2SK4075 N-MOS 40V 60A/180Ap. 52W 0.0052R ton:18nS. toff:54. MOS Field Effect Transistor. Power MOS FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-252AA (D-PAK). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.0052. Courant

 
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Transistor 2SK4108
2SK4108
20.66€ TTC
24 En stock
24 En stock

Transistor 2SK4108 N-MOS+Z 500V 20A IDp:80A 150W 0.21R. Field Effect Transistor. MOS Type (MOS VI). Switching Regulator Applications. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. td(on)130nS. td(off)280nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C)

 
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Transistor 2SK49
2SK49
2.69€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK49 N-FET 20V Idss: 0.5..6mA Up<2.5V. AM/FM. Constructeur: HIT. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

 
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Transistor 2SK583
2SK583
3.08€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK583 N-FET 50V 0.2A 0.6W 20R. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SAN. Boîtier: ANALogarithmique-SW. Tension de Drain maxi: 50 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.2 A. Rds (Ohms): 20. Puissance: 0.6 W

 
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Transistor 2SK725
2SK725
26.94€ TTC
Actuellement en rupture de stock
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Transistor 2SK725 N-MOS 500V 15A 125W <0.38R. V-MOS S-L. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.38. Puissance: 125 W

 
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Transistor 2SK793
2SK793
12.77€ TTC
4 En stock
4 En stock

Transistor 2SK793 N-MOS 850V 5A 150W <2.5R(3A)SL. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Tension de Drain maxi: 850 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2.5. Puissance: 150 W

 
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Transistor 2SK903
2SK903
8.29€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor 2SK903 N-MOS 800V 3A 40W <4R(1.5A). V-MOS. S-L. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: (F). Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 40 W

 
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Transistor 2SK904
2SK904
11.03€ TTC
37 En stock
37 En stock

Transistor 2SK904 N-MOS 800V 3A 80W <4R(1.5A). V-MOS S-L. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: B4054-0018. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 80 W

 
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Transistor 2SK941
2SK941
2.91€ TTC
323 En stock
323 En stock

Transistor 2SK941 N-MOS+D 100V 0.6A/1.8App 0.9W<1.2R. Relay Drive. Motor Drive. DC-DCConv.. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-92MOD. (L=9mm). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.6 A. Rds (Ohms): 1.2. Courant impulsion: 1.8. Puissan

 
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Transistor 2SK955
2SK955
11.42€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor 2SK955 N-MOS 800V 5A 125W <2R(2.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 125 W

 
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Transistor 2SK956
2SK956
14.90€ TTC
Actuellement en rupture de stock
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Transistor 2SK956 N-MOS 800V 9A/26Ap. 150W 1.0R. F-II Series POWER MOSFET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Courant impulsion: 26 Ap. Puissance: 150 W

 
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Pont redresseur 2W06M
2W06M
0.95€ TTC
214 En stock
214 En stock

Pont de redressement à diodes 600V 2A/50App/8.3mS ROUND. Constructeur: Taiwan Semiconductor. Diamètre: 10mm. Equivalence: 2W06M - B600C2000R

 
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